三菱Q26UDVCPU编程手册Q26UDVCPU特别说明手册

输入输出点数：4096点。
输入输出元件数：8192点。
程序容量：28 k步。
处理速度：34ns。
程序存储器容量：144 KB。
内置RS232通信口。
支持安装记忆卡。
仅用于A模式。
提升基本性能。
CPU的内置软元件存储器容量增加到最多60K字。
对增大的控制、质量管理数据也可高速处理Q26UDVCPU
方便处理大容量数据。
以往无法实现标准RAM和SRAM卡文件寄存器区域的连续存取，
在编程时需要考虑各区域的边界。
在高速通用型QCPU中安装了8MB SRAM扩展卡，
可将标准RAM作为一个连续的文件寄存器，
容量最多可达4736K字，从而简化了编程。
因此，即使软元件存储器空间不足，
也可通过安装扩展SRAM卡，方便地扩展文件寄存器区域。
变址寄存器扩展到了32位，从而使编程也可超越了传统的32K字，
并实现变址修饰扩展到文件寄存器的所有区域。
另外，变址修饰的处理速度对结构化数据（阵列）的高效运算起着重要作用，
该速度现已得到提高。
当变址修饰用于反复处理程序（例如从FOR到NEXT的指令等）中时，可缩短扫描时间。输入电压范围：AC100-240V。
输出电压：DC5V。
输出电源：8.5A。
简化程序调试。
可使用带执行条件的软元件测试功能，在程序上的任意步，
将软元件值更改为用户指定值。
以往在调试特定回路程序段时，需要追加设定软元件的程序，
而目前通过使用本功能，无需更改程序，即可使特定的回路程序段单独执行动作。
因此，不需要单独为了调试而更改程序，调试操作更简单。
通过软元件扩展，更方便创建程序。
位软元件的M软元件和B软元件最多可扩展到60K点，使程序更容易理解。
自动备份关键数据。
将程序和参数文件自动保存到无需使用备份电池的程序存储器（Flash ROM）中，
以防因忘记更换电池而导致程序和参数丢失。
此外，还可将软元件数据等重要数据备份到标准ROM，
以避免在长假期间等计划性停机时，
这些数据因电池电量耗尽而丢失。
下次打开电源时，备份的数据将自动恢复。输入：2通道。
500/200/100/10kpps。
计数器输入信号：DC5/12/24V。
外部输入：DC5/12/24V。
统一输出：晶体管(漏型)。
DC12/24V。
0.5A/点。
2A公共端。
40针连接器。SRAM存储器卡；容量：8M字节。
支持SD存储卡。
高速通用型QCPU支持SD存储卡，
从而能够与有SD存储卡插口的PC之间轻松地实现数据交换。
另外、可同时使用SD存储卡和扩展SRAM卡。
因此，可利用扩展SRAM卡扩展文件寄存器，
可利用SD存储卡同时进行数据文件记录、大量注释数据保存、通过存储卡进行引导运行。

只需插入SD存储卡，即可自动记录。
只需在CPU中插入保存了记录设定文件的SD存储卡，即可自动开始记录。
即使在需要进行远程数据收集时，
通过邮件接收记录设定文件并将其复制到SD存储卡中后，
即可立即开始记录。
更好的用户体验数据记录功能。
记录方便，无需程序。
只需通过专门的配置工具向导轻松完成设置，
便可将收集的数据以CSV格式保存到SD存储卡。
可有效利用用已保存的CSV文件方便地创建各种参考资料，
包括日常报告、生成报表及一般报告。
这些资料可应用于启启动时的数据分析、追溯等。
毫无遗漏地记录控制数据的变动
可在每次顺序扫描期间或者在毫秒时间间隔内收集数据，
毫无遗漏地记录指定的控制数据的变动。
因此，在发生故障时，可快速确定原因，进行精确的动作分析。