三菱Q03UDECPU用户手册可编程控制器功能解说/程序基础篇手册

紧凑型闪存卡。
容量：4GB字节。主站。
支持AS接口规格 2.11版本。
准确的时钟数据。
利用SNTP对时功能，自动校正CPU模块的时钟。
因此，在发生错误时可正确把握发生时间，
方便确认与多个CPU相关的错误发生时间Q03UDECPU手册。
具有卓越性能的各种模块,
满足从模拟量到定位的各种控制需求Q03UDECPU
Q系列模块产品包括种类丰富的各种I/O、模拟量和定位功能模块。
可全面地满足开关、传感器等的输入输出，温度、重量、流量和电机、驱动器的控制，
以及要求高精度控制的定位等各行业、各领域的控制需求。
还可与CPU模块组合使用，实现恰如其分的控制Q03UDECPU手册。
以智能功能拓展控制的可能性。
提供各种模拟量模块，是应用于过程控制应用的理想选择。
也可满足高速、高精度控制需求。
最适合用于要求高速转换控制领域的模拟量模块。
可提供多种模数和数模转换模块产品。
这些模块功能多样，在连接设备时，实现了最大的灵活性。
可满足变频器控制等高速转换需求Q03UDECPU手册。冗余CPU数据跟踪电缆的长度为 3米。
只能用于三菱Q系列PLC冗余CPU。SRAM+E2PROM存储卡。
RAM容量：128KB。
E2PROM容量：128KB。输入：4通道。
热电偶(K、J、T、B、S、E、R、N、U、L、PLlI、W5Re/W26Re)三菱可编程控制器手册。
无加热器断线检测功能。
采样周期：0.5s/4通道。
18点端子台。
可灵活进行各种设置，实现最佳温度控制的温度调节模块。
针对挤压成型机等温度控制稳定性要求高的设备，
温度调节模块具有防过热和防过冷的功能。
可根据控制对象设备，选择标准控制（加热或冷却）或加热冷却控制（加热和冷却）模式。
此外，也可选择混合控制模式（结合了标准控制和加热-冷却控制）三菱可编程控制器手册。
尖峰电流抑制功能。
可防止同时打开输出以控制尖峰电流，有助于节能及降低运行成本。
同时升温功能。
使多个回路同时达到设置值，以进行均匀的温度控制，
有助于防止空载并有效节能及降低运行成本三菱可编程控制器手册。
自动调整功能。
可在控制过程中自动调节PID常数。
可降低自动调整成本（时间、材料和电能）。输入点数：32点。
输入电压及电流：DC24V 4mA。
应答时间：1/5/10/20/70ms。
共阳极。
输出点数：32点。
输出电压及电流：DC12~24V 0.1A/点；2A/公共端。
OFF时漏电流：0.1mA；应答时间：1ms。
漏型。
40针连接器。
带热防护。
带短路保护。
带浪涌吸收器。
借助采样跟踪功能缩短启动时间
利用采样跟踪功能，方便分析发生故障时的数据，
检验程序调试的时间等，可缩短设备故障分析时间和启动时间。
此外，在多CPU系统中也有助于确定CPU模块之间的数据收发时间。
可用编程工具对收集的数据进行分析，
并以图表和趋势图的形式方便地显示位软元件和字软元件的数据变化。
并且,可将采样跟踪结果以GX LogViewer形式的CSV进行保存，
通过记录数据显示、分析工具GX LogViewer进行显示。
超高速处理，生产时间缩短，更好的性能。
随着应用程序变得更大更复杂，缩短系统运行周期时间是非常必要的。
通过超高的基本运算处理速度1.9ns，可缩短运行周期。
除了可以实现以往与单片机控制相联系的高速控制以外，
还可通过减少总扫描时间，提高系统性能，
防止任何可能出现的性能偏差。
方便处理大容量数据。
以往无法实现标准RAM和SRAM卡文件寄存器区域的连续存取，
在编程时需要考虑各区域的边界。
在高速通用型QCPU中安装了8MB SRAM扩展卡，
可将标准RAM作为一个连续的文件寄存器，
容量最多可达4736K字，从而简化了编程。
因此，即使软元件存储器空间不足，
也可通过安装扩展SRAM卡，方便地扩展文件寄存器区域。
变址址寄存器扩展到了32位，从而使编程也可超越了传统的32K字，
并实现变址修饰扩扩展到文件寄存器的所有区域Q03UDECPU手册Q03UDECPU用户手册。
另外，变址修饰的处理速度对结构化数据（阵列）的高效运算起着重要作用，
该速度现已得到提高。
当变址修饰用于反复处理程序（例如从FOR到NEXT的指令等）中时，可缩短扫描时间。