三菱QD75D4N选型资料选型手册

继电器输出：32点。
额定电流电压：DC24V/AC240V，2A/1点，5A/1公共端，8点1公共端。
外部接线连接方式：38点端子台（端子台另售）。
替换型号：AY13。输入：4通道。
铂电阻(Pt100；JPt100)。
无加热器断线检测功能。
采样周期：0.5s/4通道。
18点端子台。
可灵活进行各种设置，实现最佳温度控制的温度调节模块QD75D4N
针对挤压成型机等温度控制稳定性要求高的设备，
温度调节模块具有防过热和防过冷的功能。
可根据控制对象设备，选择标准控制（加热或冷却）或加热冷却控制（加热和冷却）模式。
此外，也可选择混合控制模式（结合了标准控制和加热-冷却控制）。
尖峰电流抑制功能。
可防止同时打开输出以控制尖峰电流，有助于节能及降低运行成本。
同时升温功能。
使多个回路同时达到设置值，以进行均匀的温度控制，
有助于防止空载并有效节能及降低运行成本。
自动调整功能。
可在控制过程中自动调节PID常数。
可降低自动调整成本（时间、材料和电能）。输入输出点数：4096点。
输入输出元件数：8192点。
程序容量：28 k步。
处理速度：34ns。
程序存储器容量：144 KB。
内置RS232通信口。
支持安装记忆卡。
仅用于A模式。
提升基本性能。
CPU的内置软元件存储器容量增加到最多60K字。
对增大的控制、质量管理数据也可高速处理。
方便处理大容量数据。
以往无法实现标准RAM和SRAM卡文件寄存器区域的连续存取，
在编程时需要考虑各区域的边界。
在高速通用型QCPU中安装了8MB SRAM扩展卡，
可将标准RAM作为一个连续的文件寄存器，
容量最多可达4736K字，从而简化了编程。
因此，即使软元件存储器空间不足，
也可通过安装扩展SRAM卡，方便地扩展文件寄存器区域。
变址寄存器扩展到了32位，从而使编程也可超越了传统的32K字，
并实现变址修饰扩展到文件寄存器的所有区域。
另外，变址修饰的处理速度对结构化数据（阵列）的高效运算起着重要作用，
该速度现已得到提高。
当变址修饰用于反复处理程序（例如从FOR到NEXT的指令等）中时，可缩短扫描时间。输入：2通道。
10kpps。
计数器输入信号：DC5/12/24V。
外部输入：DC5/12/24V。
统一输出：晶体管(漏型)。
用于替换A系列大型模块"AD61-S1"。
40针连接器。
支持高分辨率设备。满足高速高精度控制应用的脉冲输入、高速计数器模块产品群。
对高速脉冲串进行计数的高速计数器模块。
可与外部编码器组合使用进行定位等控制。
可切换最高计数速度，对从高速脉冲到上升沿/下降沿平缓的低频脉冲进行计数。
每个1通道配备2点的外部一致输出。
可根据用途选择“一致输出功能”、“连续比较功能”，实现外部设备的高速控制。（QD64D2）
提提供多种功能，例如一致输出测试功能（使用连续比较功能时）、预设功能、锁存计数器功能，
以满足各种应用用需求。（ QD64D2）
输入脉冲的最高计数速度可达8Mpps （差分输入、2相4倍频时）。
可在半导体、液晶制造等对位置精度要求高的设备中，
使用高分辨率编码器执行精确的位置跟踪。（ QD65PD2）