QY23L 双向可控硅输出模块三菱QY23L 额定电流电压：AC100～240V　0.6A/1点，2.4A/1公共端，8点1公共端

程序容量：252 K步。
输入输出点数：4096点。
输入输出元件数：8192点。
处理速度：0.034μs。
程序存储器容量：1008 KB。
支持USB和RS232三菱QY23L。
CPU模块扩展标准RAM（大8MB）。
可与SD存储卡同时使用。
可连续访问文件寄存器。
高速处理，生产时间缩短，更好的性能QY23L
随着应用程序变得更大更复杂，缩短系统运行周期时间是非常必要的。
通过高的基本运算处理速度1.9ns，可缩短运行周期。
除了可以实现以往与单片机控制相联系的高速控制以外，
还可通过减少总扫描时间，提高系统性能，
防止任何可能出现的性能偏差三菱QY23L。压接端子用的32点连接器(37 针D-sub连接器)。SD存储卡 4GB。
可在Q24DHCPCPU-V上使用。
可在Q24DHCPCPU-LS上使用。
可在QnUDVCPU上使用。程序容量：124 K步。
输入输出点数：4096点。
输入输出元件数：8192点三菱QY23L。
处理速度：0.034μs。
程序存储器容量：496 KB。
支持USB和RS232。
CPU模块扩展标准RAM（大8MB）。
可与SD存储卡同时使用。
可连续访问文件寄存器。
高速处理，生产时间缩短，更好的性能。
随着应用程序变得更大更复杂，缩短系统运行周期时间是非常必要的三菱双向可控硅输出模块。
通过高的基本运算处理速度1.9ns，可缩短运行周期。
除了可以实现以往与单片机控制相联系的高速控制以外，
还可通过减少总扫描时间，提高系统性能，
防止任何可能出现的性能偏差。扩展SRAM卡 1MB。
支持SD存储卡。
高速通用型QCPU支持SD存储卡，
从而能够与有SD存储卡插口的PC之间轻松地实现数据交换三菱双向可控硅输出模块。
另外、可同时使用SD存储卡和扩展SRAM卡。
因此，可利用扩展SRAM卡扩展文件寄存器，
可利用SD存储卡同时进行数据文件记录、大量注释数据保存、通过存储卡进行引导运行三菱双向可控硅输出模块。控制轴数：大32轴。
示教运行功能：有（使用SV13时）。
在位置停止可实现速度控制功能。
伺服电机可以以预先设定的速度旋转，
在启动位置停止指令后，
即可在事先设定的位置停止。
在操作运行时不仅可以通过更改选项值来更改速度，
还可以更改加速/减速时间。
相位补偿功能。
虚模式及实模式的混合功能。
平滑离合器线性加速/减速功能。输入电压范围：DC24V。
输出电压：DC5V。
输出电源：8.5A。
简化程序调试
可使用带执行条件的软元件测试功能，在程序上的任意步，
将软元件值更改为用户值。
以往在调试特定回路程序段时，需要追加设定软元件的程序，
而目前通过使用本功能，无需更改程序，即可使特定的回路程序段单独执行动作。
因此，不需要单独为了调试而更改程序，调试操作更简单。
自动备份关键数据
将程序和参数文件自动保存到无需使用备份电池的程序存储器（Flash ROM）中，
以防因忘记更换电电池而导致程序和参数丢失QY23L。
此外，还可将软元件数据等重要数据备份到标准ROM，
以避免免在长假期间等计划性停机时，
这些数据因电池电量耗尽而丢失三菱QY23L。
下次打开电源时，备份的数据将自动恢复。
通过软元件扩展，更方便创建程序。
位软元件的M软元件和B软元件多可扩展到60K点，使程序更容易理解。