QD75D1 三菱QD75D1

手动肪冲发生器/INC同步编码器输入：
可使用台数：3台/1个模块。
方便处理大容量数据。
以往无法实现标准RAM和SRAM卡文件寄存器区域的连续存取，
在编程时需要考虑各区域的边界三菱QD75D1。
在高速通用型QCPU中安装了8MB SRAM扩展卡，
可将标准RAM作为一个连续的文件寄存器，
容量多可达4736K字，从而简化了编程QD75D1
因此，即使软元件存储器空间不足，
也可通过安装扩展SRAM卡，方便地扩展文件寄存器区域。
变址寄存器扩展到了32位，从而使编程也可越了传统的32K字，
并实现变址修饰扩展到文件寄存器的所有区域三菱QD75D1。
另外，变址修饰的处理速度对结构化数据（阵列）的运算起着重要作用，
该速度现已得到提高。
当变址修饰用于反复处理程序（例如从FOR到NEXT的指令等）中时，可缩短扫描时间。程序容量：28 K步。
输入输出点数：4096点。
输入输出元件数：8192点。
处理速度：0.034μs三菱QD75D1。
程序存储器容量：112 KB。
支持USB和RS232。
型CPU加上一套丰富及强大的过程控制指令。
通过多CPU进行高速、机器控制。
通过顺控程序的直线和多CPU间高速通信（周期为0.88ms）的并列处理，实现高速控制。
多CPU间高速通信周期与运动控制同步，因此可实现运算效率大化三菱差动输出定位模块。
此外，新的运动控制CPU在性能上是先前型号的2倍，
确保了高速、的机器控制。
将在运动CPU上使用的轴伺服放大器的到位信号作为触发器，
从可编程控制器CPU向第2轴伺服放大器执行轴启动，
到伺服放大器输出速度指令为止的时间。
这一时间为CPU间数据传输速度的指标三菱差动输出定位模块。用于共负极输入模块(标准型)。输入电压范围：AC100-240V。
输出电压：DC5V。
输出电源：8.5A。
简化程序调试
可使用带执行条件的软元件测试功能，在程序上的任意步，
将软元件值更改为用户值三菱差动输出定位模块。
以往在调试特定回路程序段时，需要追加设定软元件的程序，
而目前通过使用本功能，无需更改程序，即可使特定的回路程序段单独执行动作。
因此，不需要单独为了调试而更改程序，调试操作更简单。
自动备份关键数据
将程序和参数文件自动保存到无需使用备份电池的程序存储器（Flash ROM）中，
以防因忘记更换电池池而导致程序和参数丢失QD75D1。
此外，还可将软元件数据等重要数据备份到标准ROM，
以避免免在长假期间等计划性停机时，
这些数据因电池电量耗尽而丢失三菱QD75D1。
下次打开电源时，备份的数据将自动恢复。
通过软元件扩展，更方便创建程序。
位软元件的M软元件和B软元件多可扩展到60K点，使程序更容易理解。