E2B-M18KN10-WZ-B1 2M 接近传感器 螺纹长度：标准型欧姆龙E2B-M18KN10-WZ-B1 2M

E3T-SL21 检测方式：限定反射型，
连接方式：导线引出型，
输出状态：入光时ON，
输出方式：NPN输出，
长距离光电传感器实现回归反射
型10m距离设定型2m耦合器、法兰盘、伺服装置用安装配件欧姆龙E2B-M18KN10-WZ-B1 2M。
耦合器的材质与特长。
耦合器备有按使用条件选择的树脂制与金属制2种E2B-M18KN10-WZ-B1 2M
另外，使用会发生急剧加减速的用途，
启动转矩大的一类编码器时，
即使是比较低的「低分辨率」中，
也请选择金属制的耦合器，以便放心使用。
规格：金属制。
轴内径：φ10。
外径：φ25.4。光学系统：漫反射型。
检测距离：200正负50mm欧姆龙E2B-M18KN10-WZ-B1 2M。
光束形状：线光束。
光束直径：900mm×100µm。
分辨率：5µm。
电缆长度：2m。光学方式：漫反射。
测量范围：高度方向210正负48mm。
测量范围：宽度方向70mmTYP。
分辨率：高度方向6μm。
分辨率：宽度方向111μm (70mm/631pix)。
2维激光形状测量欧姆龙E2B-M18KN10-WZ-B1 2M。ZG2采用创新技术实现稳定测量。
更简单，更的形状测量。
稳定测量难以检测的颜色、材质与复杂形状。
构造简单。项目：四核处理高速控制器。
描述：BOX型控制器。
处理项目：有。
照相机个数：2个。
输出：PNP欧姆龙接近传感器。
性能通过与处理器相得益彰的独创软件结构得以大化。
专为四核处理器而设计的软件自动确定更快的处理方案。
即是对于为系统带来较大负载的高分辨率照相机和检索处理，
也已实现高的速度。可调整检测灵敏度的放大器分离型。
实现了传感器小型化。紧凑型。
备有可在－10～＋200°C的温度范围使用的耐热型。
本体：耐热型，传感器部分欧姆龙接近传感器。
形状：屏蔽，M8。
稳定检测距离：1.5mm。外径φ40 通用型。
增量型。
外径：φ40。
分辨率（大）：2000P/R。
电源电压：DC5V。
输出形式： 线性驱动器输出欧姆龙接近传感器。
分辨率（脉冲/旋转）1：10P/R、20P/R、30P/R、40P/R、50P/R、60P/R。
分辨率（脉冲/旋转）2：100P/R、200P/R、300P/R、360P/R、400P/R。
分辨率（脉冲/旋转）3：500P/R、600P/R、1000P/R、1024P/R。
分辨率（脉冲/旋转）4：1024P/R、1200P/R、1500P/R、1800P/R、2000P/R。E2B-M18KN10-WZ-B1 2M。连接方法：接插件中继型。
电缆长度：0.5m。
检测测距离：600正负400mm欧姆龙E2B-M18KN10-WZ-B1 2M。
输出方式：PNP输出。
0.002mm的分辨率，适合简单测量。
测量结果稳定，适用于任何类型的工件。
多种型号，具有共四种不同距离规格。
长距离型号，高可达1000mm。