Q173DCPU-S1手册三菱Q173DCPU-S1应用功能编程手册

输入输出点数：4096点。
输入输出软元件点数：8192点。
程序容量：130K步。
基本运处理速度（LD指令）：1.9ns。
程序内存容量：520KB。
外围设备连接端口：USB、以太网（通信协义支持功能）。
存储卡I/F：SD存储卡、扩展SRAM卡。
方便处理大容量数据。
以往无法实现标准RAM和SRAM卡文件寄存器区域的连续存取，
在编程时需要考虑各区域的边界Q173DCPU-S1
在高速通用型QCPU中安装了8MB SRAM扩展卡，
可将标准RAM作为一个连续的文件寄存器，
容量最多可达4736K字，从而简化了编程。
因此，即使软元件存储器空间不足，
也可通过安装扩展SRAM卡，方便地扩展文件寄存器区域。
变址寄存器扩展到了32位，从而使编程也可超越了传统的32K字，
并实现变址修饰扩展到文件寄存器的所有区域。
另外，变址修饰的处理速度对结构化数据（阵列）的高效运算起着重要作用，
该速度现已得到提高。
当变址修饰用于反复处理程序（例如从FOR到NEXT的指令等）中时，可缩短扫描时间。
支持USB和RS232。

支持安装记忆卡。

多CPU之间提供高速通信。
缩短了固定扫描中断时间，装置高精度化。
固定周期中断程序的最小间隔缩减至100μs。
可准确获取高速信号，为装置的更加高精度化作出贡献。
通过多CPU进行高速、高精度机器控制。
通过顺控程序的直线和多CPU间高速通信（周期为0.88ms）的并列处理，实现高速控制。
多CPU间高速通信周期与运动控制同步，因此可实现运算效率最大化。
此外，最新的运动控制CPU在性能上是先前型号的2倍，
确保了高速、高精度的机器控制。三相4线式。
测量电路数：1个电路。
测量项目：耗电量（消耗、再生）、电流、电压、功率、功率因素等。
可简单地测量多种能量信息的电能测量模块产品群。
仅用一个模块，即可测量与电量（消耗及再生）、无功电量、电流、电压、功率、功率因数以及频率有关的各种详细信息。
无需梯形图程序即可持续监视最小值和最大值，亦可执行2种类型的上限/下限报警。
只有在ON状态期间，才可测量输出设备所使用的电量。
因此可获得设备运行期间的电电量以及节拍单位内的电量。
在一个插槽中使用3相3线式产品最多可测量4个电路，
使用3相4线式产品最最多可测量3个电路，
因此通过多电路型产品可在较小空间中实施电能测量。
例如，可使用一个模块测量来自控制面板干线的其他负载。
此外，可使用GX Works2 （ 1.90U版和更高版本），轻松地设置参数。