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CPUQS001CPU手册三菱QS001CPU编程手册

产品型号: QS001CPU
产品名称: CPU
品牌: 三菱
类别: 编程手册
文件语言: 英文
文件大小: 3.16MB
输入输出点数:4096点。
输入输出软元件点数:8192点。
程序容量:60K步。
基本运处理速度(LD指令):1.9ns。
程序内存容量:240KB。
外围设备连接端口:USB、以太网(通信协义支持功能)。
存储卡I/F:SD存储卡、扩展SRAM卡。
方便处理大容量数据。
以往无法实现标准RAM和SRAM卡文件寄存器区域的连续存取,
在编程时需要考虑各区域的边界QS001CPU
在高速通用型QCPU中安装了8MB SRAM扩展卡,
可将标准RAM作为一个连续的文件寄存器,
容量最多可达4736K字,从而简化了编程。
因此,即使软元件存储器空间不足,
也可通过安装扩展SRAM卡,方便地扩展文件寄存器区域。
变址寄存器扩展到了32位,从而使编程也可超越了传统的32K字,
并实现变址修饰扩展到文件寄存器的所有区域。
另外,变址修饰的处理速度对结构化数据(阵列)的高效运算起着重要作用,
该速度现已得到提高。
当变址修饰用于反复处理程序(例如从FOR到NEXT的指令等)中时,可缩短扫描时间。
支持USB和RS232。

支持安装记忆卡。

多CPU之间提供高速通信。
缩短了固定扫描中断时间,装置高精度化。
固定周期中断程序的最小间隔缩减至100μs。
可准确获取高速信号,为装置的更加高精度化作出贡献。
通过多CPU进行高速、高精度机器控制。
通过顺控程序的直线和多CPU间高速通信(周期为0.88ms)的并列处理,实现高速控制。
多CPU间高速通信周期与运动控制同步,因此可实现运算效率最大化。
此外,最新的运动控制CPU在性能上是先前型号的2倍,
确保了高速、高精度的机器控制。SRAM+E2PROM存储卡。
RAM容量:32KB。
E2PROM容量:32KB。输入输出点数:1024点。
输入输出数据设备点数:8192点。
程序容量:60k。
基本命令处理速度(LD命令):0.2μS。
指令执行所需的时间和用户程序的长短、指令的种类和CPU执行速度是有很大关系,
一般来说,一个扫描的过程中,故障诊断时间,
通信时间,输入采样和输出刷新所占的时间较少,
执行的时间是占了绝大部分。
光电耦合器由两个发光二极度管和光电三极管组成。
发光二级管:在光电耦合器的输入端加上变化的电信号,
发光二极管就产生与输入信号变化规律相同的光信号。
输入接口电路工作过程:当开关合上,二极管发光,
然后三极管在光的照射下导通,向内部电路输入信号。
当开关断开,二极管不发光,三极管不导通。向内部电路输入信号。
也就是通过输入接口电路把外部的开关信号转化成PLC内部所能接受的数字信号。
光电三级管:在光信号的照射下导通,导通程度与光信号的强弱有关。
在光电耦合器器的线性工作区内,输出信号与输入信号有线性关系。
用户程序存储容量:是衡量可存储用户应用程序多少的指指标。
通常以字或K字为单位。16位二进制数为一个字,
每1024个字为1K字。PLC以字为单位存储指令和数据。
一般的逻辑操作指令每条占1个字。定时/计数,
移位指令占2个字。数据操作指令占2~4个字。
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