Q10UDEHCPU编程手册三菱Q10UDEHCPUPID控制指令手册

Q3MEM-4MBS，Q3MEM-8MBS更换用电池。10BASE-T/100BASE-T X 1通道。
无需使用PC即可满足所有记录需求的高速数据记录仪模块。
高速、简单、低成本，数据记录的准确性超乎以往。
可利用以向导形式辅助实现简单设置的“高速数据记录仪模块配置工具”，
以及用趋势图显示收集到的数据，
帮助进行数据分析等的记录数据显示/分析工具“GX LogViewer"Q10UDEHCPU
通过在生产过程中累计各种数据，
不仅可帮助提高产品品质、降低生产成本，还可为优化系统，
构建高效的生产现场作出贡献。带标准PCMCIA接口的Q2MEM存储器卡用的适配器。连接读写2ch。
ID系统接口模块。
ID控制器BIS M-688-001/002是可直接安装到Q系列的基板上，
通过可编程控制器指令读写ID标签数据的控制模块。
BIS M-688-002的梯形图与QD35ID1/2兼容。
可连接2个天线，还可同时进行2通道的并行处理。
可使用BIS M系列的所有ID标签。
巴鲁夫ID系统/BIS系列是可利用电磁结合方式读写数据的工业自动化ID系统。
ID标签具有多种尺寸和存储容量。输入点数：伺服外部信号32点，8轴。
输入方式：源型/漏型。
输入输出占用点数：32点。
方便处理大容量数据。
以往无法实现标准RAM和SRAM卡文件寄存器区域的连续存取，
在编程时需要考虑各区域的边界。
在高速通用型QCPU中安装了8MB SRAM扩展卡，
可将标准RAM作为一个连续的文件寄存器，
容量最多可达4736K字，从而简化了编程。
因此，即使软元件存储器空间不足，
也可通过安装扩展SRAM卡，方便地扩展文件寄存器区域。
变址寄存器扩展到了32位，从而使编程也可超越了传统的32K字，
并实现变址修饰扩展到文件寄存器的所有区域。
另外，变址修饰的处理速度对结构化数据（阵列）的高效运算起着重要作用，
该速度现已得到提高。
当变址修饰用于反复处理程序（例如从FOR到NEXT的指令等）中时，可缩短扫描时间。输入：4通道。
热电偶(JIS C1602~1995)。
微电压(-100mV~100mV) 。
转换速度：(采样周期x3)/1通道。
18点端子台。
最适合用于过程控制的隔离模拟量模块。
可通过连接热电偶/热电阻来收集温度数据。
产品可选择多通道（ 8通道）输入型和通道隔离型。
客户可根据预期用途选择最适合的型号。
自动备份关键数据
将程序和参数文件自动保存到无需使用备份电池的程序存储器（Flash ROM）中，
以防因忘记更换电池而导致程序和参数丢失。
此外，还可将软元件数据等重要数据备份到标准ROM，
以避免在长假期间等计划性停机时，
这些数据因电池电量耗尽而丢失。
下次打开电源时，备份的数据将自动恢复。
缩缩短系统停机复原时间。
只需简单的操作，即可将CPU内的所有数据备份到存储卡中。
通过定期备份，可始始终将最新的参数、程序等保存到存储卡。
在万一发生CPU故障时，在更换CPU后，可通过简单的操作，
通过事前备份了数据的存储卡进行系统复原。
因此，无需花费时间管理备份数据，也可缩短系统停机时的复原时间。