三菱Q06UDHCPU编程指南手册Q06UDHCPU结构化文本(ST)手册

SRAM+E2PROM存储卡。
RAM容量：512KB。
E2PROM容量：512KB。输入输出点数：4096点。
输入输出元件数：8192点。
程序容量：26 k步Q06UDHCPU编程指南手册。
处理速度：79ns。
程序存储器容量：144 KB。
内置RS232通信口。
支持安装记忆卡Q06UDHCPU
仅用于A模式。
提升基本性能。
CPU的内置软元件存储器容量增加到最多60K字。
对增大的控制、质量管理数据也可高速处理。
方便处理大容量数据。
以往无法实现标准RAM和SRAM卡文件寄存器区域的连续存取，
在编程时需要考虑各区域的边界。
在高速通用型QCPU中安装了8MB SRAM扩展卡，
可将标准RAM作为一个连续的文件寄存器，
容量最多可达4736K字，从而简化了编程Q06UDHCPU编程指南手册。
因此，即使软元件存储器空间不足，
也可通过安装扩展SRAM卡，方便地扩展文件寄存器区域。
变址寄存器扩展到了32位，从而使编程也可超越了传统的32K字，
并实现变址修饰扩展到文件寄存器的所有区域。
另外，变址修饰的处理速度对结构化数据（阵列）的高效运算起着重要作用，
该速度现已得到提高。
当变址修饰用于反复处理程序（例如从FOR到NEXT的指令等）中时，可缩短扫描时间。输入：4通道。
热电偶(K、J、T、B、S、E、R、N、U、L、PLlI、W5Re/W26Re) 。
无加热器断线检测功能。
采样周期：0.5s/4 通道。
18点端子Q06UDHCPU编程指南手册。
使多个回路同时达到设置值，以进行均匀的温度控制，
有助于防止空载并有效节能及降低运行成本。
自动调整功能。
可在控制过程中自动调节PID常数。
可降低自动调整成本（时间、材料和电能）。
可灵活进行各种设置，实现最佳温度控制的温度调节模块。
针对挤压成型机等温度控制稳定性要求高的设备，
温度调节模块具有防过热和防过冷的功能。
可根据控制对象设备，选择标准控制（加热或冷却）或加热冷却控制（加热和冷却）模式。
此外，也可选择混合控制模式（结合了标准控制和加热-冷却控制）。输入点数：32点。
输入电压及电流：DC24V　4mA。
应答时间：1/5/10/20/70ms。
32点/1个公共端。
共阴极。
37针D-sub连接器。
不断超越，勇攀Q系列巅峰。
强化安全功能。
可设定最长32字符的文件密码。
除了英文字母、数字以外，还可使用特殊字符，
进一步增强了密码的安全性。
此外，仅允许预先注册过的设备访问CPU，
从而拦截了非授权用户的非法访问。
因此可防止重要程序资产的流出，保护知识产权。
通过以太网轻松连接编程工具。
编程工具（GX Works2、GX Developer）和CPU直接连接（ 1对1）时，
无需进行IP地址设置。而且无需选择电缆，直通线和交叉线均可使用。
因此，这种连接方法和使用USB一样，可轻松与CPU进行通信，
即使是不熟悉网络设置的操作人员也能轻松建立连接。
具有卓越性能的各种模块,

满足从模拟量到定位的各种控制需求Q06UDHCPU手册。
Q系列模块产品包括种类丰富的各种I/O、、模拟量和定位功能模块Q06UDHCPU手册。
可全面地满足开关、传感器等的输入输出，温度、重量、流量和电机、驱动器的控制，
以及要求高精度控制的定位等各行业、各领域的控制需求。
还可与CPU模块组合使用，实现恰如其分的控制。