电压输出模拟量模块Q68DAVN选型资料选型手册三菱Q68DAVN选型样本

SRAM存储卡。
RAM容量：128KB。手动肪冲发生器/INC同步编码器输入：
可使用台数：3台/1个模块。
方便处理大容量数据。
以往无法实现标准RAM和SRAM卡文件寄存器区域的连续存取，
在编程时需要考虑各区域的边界。
在高速通用型QCPU中安装了8MB SRAM扩展卡，
可将标准RAM作为一个连续的文件寄存器，
容量最多可达4736K字，从而简化了编程Q68DAVN
因此，即使软元件存储器空间不足，
也可通过安装扩展SRAM卡，方便地扩展文件寄存器区域。
变址寄存器扩展到了32位，从而使编程也可超越了传统的32K字，
并实现变址修饰扩展到文件寄存器的所有区域。
另外，变址修饰的处理速度对结构化数据（阵列）的高效运算起着重要作用，
该速度现已得到提高。
当变址修饰用于反复处理程序（例如从FOR到NEXT的指令等）中时，可缩短扫描时间。应用：Q系列用。
适合安全标准：EN954-1类别4，ISO13849-1 PLe。
安全输入点数：1点。
增设台数：增设用安全继电器模块最多3台。
使用专用设定监控工具直观地进行配置。
构成设定使用丰富的组件可轻松、快捷地设定硬件构成。
创建逻辑对于安全设备，通过使用自动生成的标签的FB可以方便地创建逻辑。
逻辑的导入和导出。
可以只把对输入输出模块的连接设定和通过功能块创建的应用逻辑作为一个设定文件进行存储，
或者从已保存设定文件进行读取。输入：4通道。
热电偶(K、J、T、B、S、E、R、N、U、L、PLlI、W5Re/W26Re)。
无加热器断线检测功能。
采样周期：0.5s/4通道。
18点端子台。
可灵活进行各种设置，实现最佳温度控制的温度调节模块。
针对挤压成型机等温度控制稳定性要求高的设备，
温度调节模块具有防过热和防过冷的功能。
可根据控制对象设备，选择标准控制（加热或冷却）或加热冷却控制（加热和冷却）模式。
此外，也可选择混合控制模式（结合了标准控制和加热-冷却控制）。
尖峰电流抑制功能。
可防止同时打开输出以控制尖峰电流，有助于节能及降低运行成本。
同时升温功能。
使多个回路同时达到设置值，以进行均匀的温度控制，
有助于防止空载并有效节能及降低运行成本。
自动调整功能。
可在控制过程中自动调节PID常数。
可降低自动调整成本（时间、材料和电能）。输入点数：64点。
输入电压及电流：DC24V　4mA。
应答时间：0.1/0.2/0.4/0.6/1ms。
32点/1个公共端。
共阳极。
40针连接器。
通过以太网轻松连接编程工具。
编程工具（GX Works2、GX Developer）和CPU直接连接（ 1对1）时，
无需进行IP地址设置。而且无需选择电缆，直通线和交叉线均可使用。
因此，这种连接方法和使用USB一样，可轻松与CPU进行通信，
即使是不熟悉网络设置的操作人员也能轻松建立连接。
具有卓越性能的各种模块,
满足从模拟量到定位的各种控制需求。
Q系列模块产品包括种类丰富的各种I/O、模拟量和定位功能模块。
可全面地满足开关、传感器等的输入输出，温度、重量、流量和电机、驱动器的控制，
以及要求高精度控制的定位等各行业、各领域的控制需求。
还可与CPU模块块组合使用，实现恰如其分的控制。
不断超越，勇攀Q系列巅峰。
强化安全功能。
可设定最长32字符的文文件密码。
除了英文字母、数字以外，还可使用特殊字符，
进一步增强了密码的安全性。
此外，仅允许预先注册过的设备访问CPU，
从而拦截了非授权用户的非法访问。
因此可防止重要程序资产的流出，保护知识产权。